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50 OHM TYPICAL CHARACTERISTICS
42
39
36
41
40
39
38
33
30
27
f = 900 MHz
100 kHz Tone Spacing
37
36
35
V CC = 5.2 Vdc,
f = 900 MHz
100 kHz Tone Spacing
8 Vdc Supply with 25 Ω Dropping Resistor
5
5.1
5.2
5.3
5.4
--40
--20
0
20
40
60
80
100
V CC , COLLECTOR VOLTAGE (V)
Figure 8. Third Order Output Intercept Point
versus Collector Voltage
--30
--40
10 5
T, TEMPERATURE ( _ C)
Figure 9. Third Order Output Intercept Point
versus Case Temperature
--50
--60
--70
--80
V CC = 5.2 Vdc
f = 900 MHz
100 kHz Tone Spacing
10 4
10 3
10 2
5
7
9
11
13
15
17
19
21
120
125
130
135
140
145
150
8
6
P out , OUTPUT POWER (dBm)
Figure 10. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
--20
--30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
NOTE: The MTTF is calculated with V CC = 5.2 Vdc, I CC = 110 mA
Figure 11. MTTF versus Junction Temperature
--40
4
--50
2
0
V CC = 5.2 Vdc
--60
--70
V CC = 5.2 Vdc,f = 2140 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
9
11
13
15
17
19
f, FREQUENCY (GHz)
Figure 12. Noise Figure versus Frequency
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
P out , OUTPUT POWER (dBm)
Figure 13. Single--Carrier W--CDMA Adjacent
Channel Power Ratio versus Output Power
MMG3002NT1
5
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